GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16ENEGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.70 | Dhs. 2.70 |
| 15+ | Dhs. 2.62 | Dhs. 39.30 |
| 25+ | Dhs. 2.57 | Dhs. 64.25 |
| 50+ | Dhs. 2.42 | Dhs. 121.00 |
| 100+ | Dhs. 2.14 | Dhs. 214.00 |
| N+ | Dhs. 0.43 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2,1 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-UDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x4) |
GD25LQ16ENEGR - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances
La GD25LQ16ENEGR de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire Flash NOR 16 Mbit hautes performances conçue pour les applications embarquées exigeantes. Cette puce de mémoire Flash avancée est dotée d'interfaces SPI Quad I/O et QPI, offrant des vitesses de transfert de données exceptionnelles jusqu'à 133 MHz tout en maintenant une consommation d'énergie ultra-faible grâce à une plage de tension de fonctionnement de 1,65 V à 2,1 V.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : la fréquence d'horloge de 133 MHz avec prise en charge des E/S quadruples assure un accès et un transfert de données rapides.
- Stockage fiable : l'architecture Flash NOR 16 Mbit (2 Mo x 8) offre un stockage de mémoire non volatile fiable.
- Large plage de températures : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 125 °C, idéal pour les applications industrielles et automobiles
- Conception à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2,1 V réduit la consommation d’énergie des appareils alimentés par batterie.
- Encombrement réduit : Boîtier CMS 8-USON (3 x 4 mm) compact, idéal pour les conceptions à espace restreint.
- Performances d'écriture rapides : des cycles d'écriture de mots de 100 µs et de pages de 4 ms permettent des mises à jour de données efficaces.
Applications idéales
Idéale pour les systèmes embarqués, les objets connectés, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique grand public et toute application exigeant un stockage mémoire non volatile fiable et rapide, la mémoire GD25LQ16ENEGR se distingue par sa large plage de températures de fonctionnement et sa faible consommation d'énergie, ce qui en fait un excellent choix pour les applications critiques.
Spécifications techniques
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