GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16EWIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.17 | Dhs. 2.17 |
| 15+ | Dhs. 2.11 | Dhs. 31.65 |
| 25+ | Dhs. 2.06 | Dhs. 51.50 |
| 50+ | Dhs. 1.95 | Dhs. 97.50 |
| 100+ | Dhs. 1.72 | Dhs. 172.00 |
| N+ | Dhs. 0.34 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2,1 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |
GD25LQ16EWIGR - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances
La mémoire Flash NOR GD25LQ16EWIGR de GigaDevice Semiconductor est un dispositif haute fiabilité de 16 Mbits conçu pour les applications embarquées exigeantes. Dotée d'interfaces SPI et d'E/S quadruples avancées avec des fréquences d'horloge jusqu'à 133 MHz, cette solution mémoire offre des performances exceptionnelles pour les applications industrielles, automobiles et IoT.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d'horloge de 133 MHz avec prise en charge des E/S quadruples et du QPI pour un accès rapide aux données
- Organisation flexible de la mémoire : configuration 2 M x 8 optimisée pour les architectures de systèmes embarqués
- Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2,1 V idéale pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
- Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C, garantissant une fiabilité optimale même dans les environnements industriels les plus difficiles.
- Performances d'écriture rapides : cycles d'écriture de mots de 60 µs et de pages de 2,4 ms pour un stockage de données efficace
- Boîtier compact pour montage en surface : son format 8-WDFN/8-WSON (5 x 6 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
Applications idéales
Cette mémoire Flash NOR polyvalente est idéale pour le stockage de code, l'enregistrement de données, les mises à jour de firmware, le stockage de configuration dans les systèmes de microcontrôleurs, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les appareils IoT grand public et les plateformes informatiques embarquées.
Spécifications techniques
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