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GD25LQ32ENEGR - Circuit intégré de mémoire flash NOR Quad SPI 32 Mbit

La GD25LQ32ENEGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR série 32 Mbit (4 Mo x 8) hautes performances, conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Ce circuit intégré Flash basse tension fonctionne entre 1,65 V et 2 V, ce qui le rend idéal pour les systèmes alimentés par batterie et à faible consommation d'énergie.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des interfaces Quad SPI et QPI pour un accès rapide aux données
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 125 °C (TA) pour les environnements difficiles.
  • Ultra-basse tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V réduit la consommation d’énergie.
  • Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-USON (3 x 4 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
  • Performances d'écriture rapides : écriture d'un mot en 100 µs, temps de cycle d'écriture d'une page en 4 ms
  • Temps d'accès rapide : 6 ns pour des performances système optimales.

Applications typiques

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée pour :

  • Systèmes électroniques automobiles et ADAS
  • équipements de contrôle et d'automatisation industriels
  • Dispositifs IoT et capteurs intelligents
  • Stockage du micrologiciel embarqué
  • Enregistrement des données et stockage de la configuration
  • Électronique grand public nécessitant une mémoire non volatile

Spécifications techniques

Pourquoi choisir HQICKEY ?

Distributeur agréé de composants GigaDevice Semiconductor, HQICKEY garantit des pièces 100 % authentiques, une traçabilité complète, la conformité aux normes RoHS/REACH et un support technique exhaustif. Chaque composant fait l'objet d'un contrôle qualité rigoureux afin d'assurer sa fiabilité pour vos applications critiques.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD25LQ
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 32 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 100 µs, 4 ms
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-UDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-USON (3x4)