GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40EEAGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.17 | Dhs. 2.17 |
| 15+ | Dhs. 2.11 | Dhs. 31.65 |
| 25+ | Dhs. 2.06 | Dhs. 51.50 |
| 50+ | Dhs. 1.95 | Dhs. 97.50 |
| 100+ | Dhs. 1.72 | Dhs. 172.00 |
| N+ | Dhs. 0.34 | Price Inquiry |
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GD25LQ40EEAGR - Mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit hautes performances
La mémoire Flash NOR GD25LQ40EEAGR de GigaDevice Semiconductor est une solution haut de gamme de 4 Mbits conçue pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable et rapide. Cette puce de mémoire Flash avancée intègre la technologie d'interface SPI Quad E/S, offrant des performances exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 133 MHz tout en maintenant une consommation d'énergie ultra-faible grâce à une plage de tension de fonctionnement de 1,65 V à 2 V.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Interface d'E/S quadruple : la technologie d'E/S quadruple SPI offre un débit amélioré pour les conceptions embarquées exigeantes.
- Large plage de températures : Sa plage de fonctionnement de qualité industrielle, de -40 °C à 125 °C, la rend idéale pour les applications automobiles, industrielles et en environnements difficiles.
- Conception basse consommation : une tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-USON (3 x 2 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Stockage fiable : organisation de la mémoire 512 Ko x 8 avec technologie Flash NOR SLC éprouvée
Applications idéales
Idéal pour les objets connectés, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les équipements médicaux, l'électronique grand public et tout système embarqué nécessitant un stockage de code et un enregistrement de données fiables. La conception robuste et la plage de températures étendue du GD25LQ40EEAGR le rendent particulièrement adapté aux applications critiques où la fiabilité est primordiale.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x2) |
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