GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ES2GR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.42 | Dhs. 4.42 |
| 15+ | Dhs. 4.28 | Dhs. 64.20 |
| 25+ | Dhs. 4.19 | Dhs. 104.75 |
| 50+ | Dhs. 3.95 | Dhs. 197.50 |
| 100+ | Dhs. 3.49 | Dhs. 349.00 |
| N+ | Dhs. 0.70 | Price Inquiry |
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GD25LQ64ES2GR - Mémoire Flash SPI NOR haute performance de 64 Mbits
La mémoire Flash NOR GD25LQ64ES2GR de GigaDevice Semiconductor est une solution haut de gamme de 64 Mbits conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeant un stockage non volatil fiable et rapide. Cette mémoire Flash SPI Quad E/S avancée offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 6 ns, ce qui la rend idéale pour l'exécution de code, l'enregistrement de données et le stockage de firmware dans des environnements exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : une capacité de 64 Mbits avec une organisation mémoire de 8 M x 8 offre un espace suffisant pour les exigences complexes de stockage de micrologiciels et de données.
- Interface polyvalente : la prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI permet une intégration flexible avec divers microcontrôleurs et processeurs.
- Consommation ultra-faible : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise la consommation d’énergie pour les conceptions fonctionnant sur batterie et économes en énergie.
- Plage de températures industrielles : la plage de fonctionnement de -40 °C à 105 °C garantit des performances fiables même dans des conditions environnementales difficiles.
- Performances d'écriture rapides : des cycles d'écriture de mots de 60 µs et de pages de 2,4 ms accélèrent les mises à jour des données et la réactivité du système.
- Boîtier compact pour montage en surface : son format 8-SOIC (largeur de 5,30 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé dans les applications où l’espace est limité.
Applications idéales
Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les appareils IoT, les équipements médicaux, les infrastructures de télécommunications et tout système embarqué nécessitant une mémoire non volatile fiable avec une tolérance aux températures élevées et une disponibilité à long terme.
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Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
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