GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ET2GY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.42 | Dhs. 4.42 |
| 15+ | Dhs. 4.28 | Dhs. 64.20 |
| 25+ | Dhs. 4.19 | Dhs. 104.75 |
| 50+ | Dhs. 3.95 | Dhs. 197.50 |
| 100+ | Dhs. 3.49 | Dhs. 349.00 |
| N+ | Dhs. 0.70 | Price Inquiry |
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GD25LQ64ET2GY - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances
La mémoire Flash NOR GD25LQ64ET2GY de GigaDevice Semiconductor est une solution haut de gamme de 64 Mbits conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce composant mémoire haute fiabilité est doté d'interfaces SPI Quad I/O et QPI avancées, offrant des performances exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 133 MHz avec une consommation d'énergie ultra-faible (1,65 V ~ 2 V).
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Interface flexible : la prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI permet une intégration polyvalente au sein de diverses architectures système.
- Large plage de températures : sa plage de fonctionnement de -40 °C à 105 °C la rend idéale pour les secteurs de l'automobile, de l'aérospatiale et les environnements industriels difficiles.
- Conception basse consommation : la tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
- Capacité généreuse : l’organisation de 64 Mbits (8 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour le firmware, les données de configuration et l’exécution du code.
- Boîtier CMS : Son format compact 8-SOIC (largeur de 3,90 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les équipements médicaux, les infrastructures de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable avec des performances de lecture/écriture rapides et une prise en charge étendue du cycle de vie.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LQ |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
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