GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EY2GR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.53 | Dhs. 4.53 |
| 15+ | Dhs. 4.38 | Dhs. 65.70 |
| 25+ | Dhs. 4.28 | Dhs. 107.00 |
| 50+ | Dhs. 4.05 | Dhs. 202.50 |
| 100+ | Dhs. 3.57 | Dhs. 357.00 |
| N+ | Dhs. 0.71 | Price Inquiry |
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GD25LQ64EY2GR - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances
La mémoire Flash NOR GD25LQ64EY2GR de GigaDevice Semiconductor est une solution haut de gamme de 64 Mbits conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Cette mémoire Flash haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à ses interfaces SPI Quad I/O et QPI, fonctionnant à des vitesses allant jusqu'à 133 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des E/S quadruples pour un accès et un transfert de données rapides.
- Capacité optimale : mémoire de 64 Mbits (8 M x 8) idéale pour le stockage de firmware, l’enregistrement de données et l’exécution de code.
- Large plage de fonctionnement : la plage de températures de -40 °C à 105 °C garantit un fonctionnement fiable dans des environnements industriels difficiles.
- Conception basse consommation : tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V pour des systèmes embarqués économes en énergie.
- Performances d'écriture rapides : cycles d'écriture de mots de 60 µs et de pages de 2,4 ms pour une programmation efficace
- Encombrement réduit : Boîtier 8-WSON (6 x 8 mm) peu encombrant avec pastille exposée pour des performances thermiques supérieures
Applications idéales
Idéal pour l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les appareils IoT, les équipements médicaux, les infrastructures de télécommunications et toute application nécessitant un stockage de code et de données non volatil avec une endurance et une fiabilité élevées.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
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