GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CN2GR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.44 | Dhs. 2.44 |
| 15+ | Dhs. 2.35 | Dhs. 35.25 |
| 25+ | Dhs. 2.30 | Dhs. 57.50 |
| 50+ | Dhs. 2.17 | Dhs. 108.50 |
| 100+ | Dhs. 1.91 | Dhs. 191.00 |
| N+ | Dhs. 0.38 | Price Inquiry |
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GD25LQ80CN2GR - Mémoire Flash NOR SPI 8 Mbit hautes performances
La GD25LQ80CN2GR de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire Flash NOR SPI 8 Mbit haute fiabilité, conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage rapide et non volatil. Ce composant de mémoire Flash avancé est doté d'une interface SPI à quatre E/S pour un débit de données accru et fonctionne à des fréquences d'horloge jusqu'à 90 MHz, ce qui le rend idéal pour les applications exigeant des temps de démarrage rapides et un accès efficace aux données.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 90 MHz avec une interface SPI Quad E/S garantit des débits de transfert de données rapides.
- Boîtier compact 8-USON : conception à montage en surface de 3 x 4 mm, peu encombrante, idéale pour les applications où l’espace est limité.
- Large plage de températures de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C, convient aux environnements industriels et automobiles.
- Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2,1 V optimise l’efficacité énergétique.
- Organisation de la mémoire flexible : architecture 1M x 8 avec cycles d’écriture de page rapides (3 ms) et écriture de mot (80 µs)
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 6 ns garantit des performances système réactives.
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire flash NOR polyvalente est parfaitement adaptée pour :
- Systèmes embarqués et stockage de code de microcontrôleur
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- Systèmes de contrôle industriels
- électronique automobile
- Appareils électroniques grand public nécessitant le stockage du code de démarrage
- Enregistrement des données et stockage de la configuration
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 90 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 80 µs, 3 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2,1 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-UDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x4) |
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