GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80EEEGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.02 | Dhs. 2.02 |
| 15+ | Dhs. 1.97 | Dhs. 29.55 |
| 25+ | Dhs. 1.93 | Dhs. 48.25 |
| 50+ | Dhs. 1.82 | Dhs. 91.00 |
| 100+ | Dhs. 1.61 | Dhs. 161.00 |
| N+ | Dhs. 0.32 | Price Inquiry |
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GD25LQ80EEEGR - Mémoire Flash NOR SPI 8 Mbit hautes performances
La mémoire Flash NOR GD25LQ80EEEGR de GigaDevice Semiconductor est un dispositif de haute fiabilité de 8 Mbits conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données rapide et non volatile. Ce composant authentique intègre des interfaces SPI Quad I/O et QPI avancées, offrant des performances de lecture exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 133 MHz et une consommation d'énergie ultra-faible (fonctionnement sous 1,65 V à 2 V).
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Interface flexible : la prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI permet une intégration polyvalente avec les microcontrôleurs et les processeurs.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 125 °C, idéal pour les applications automobiles, industrielles et en environnements difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-USON (3 x 2 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Économe en énergie : le fonctionnement à basse tension (1,65 V-2 V) réduit la consommation d'énergie des appareils alimentés par batterie.
- Mémoire organisée : l’architecture 1 Mo x 8 simplifie la gestion et l’adressage de la mémoire.
Applications idéales
Idéal pour le stockage de firmware embarqué, de code de démarrage, de données de configuration, d'appareils IoT, d'électronique automobile, de contrôleurs industriels et d'électronique grand public nécessitant une mémoire non volatile fiable.
Spécifications techniques détaillées
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x2) |
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