GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR128ESIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 5.77 | Dhs. 5.77 |
| 15+ | Dhs. 5.58 | Dhs. 83.70 |
| 25+ | Dhs. 5.46 | Dhs. 136.50 |
| 50+ | Dhs. 5.16 | Dhs. 258.00 |
| 100+ | Dhs. 4.55 | Dhs. 455.00 |
| N+ | Dhs. 0.91 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LR |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
Présentation du produit
Le GD25LR128ESIGR est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI hautes performances de 128 Mbits, issu de la série GD25LR de GigaDevice Semiconductor. Ce dispositif de mémoire Flash non volatile présente une organisation de 16 Mbits x 8 octets et prend en charge une interface d'E/S quadruple SPI pour des transferts de données rapides jusqu'à une fréquence d'horloge de 200 MHz. Conçu pour les applications industrielles et embarquées, il fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures allant de -40 °C à 85 °C.
Principales caractéristiques et applications
- Performances à haute vitesse : la fréquence d'horloge de 200 MHz avec interface SPI Quad E/S permet un accès rapide aux données pour les applications critiques en temps réel.
- Fonctionnement à basse tension : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
- Fiabilité de niveau industriel : une plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement stable dans des environnements difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : l’ encombrement de 8 SOIC (largeur de 5,30 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé dans les systèmes embarqués.
- Composant GigaDevice authentique : emballage scellé en usine sur bande et bobine avec traçabilité complète et assistance tout au long du cycle de vie
Applications typiques
Ce circuit intégré de mémoire flash NOR est idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, le stockage de firmware, les applications de code de démarrage et les systèmes d'enregistrement de données nécessitant une mémoire non volatile fiable avec un accès en lecture rapide.
Qualité et assistance
HQICKEY fournit des composants semi-conducteurs GigaDevice authentiques, accompagnés d'une documentation complète, d'un support technique et d'une garantie de disponibilité à long terme. Chaque composant provient directement de circuits de distribution agréés afin de garantir une qualité authentique et une couverture complète de la garantie constructeur.
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