GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EWIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.46 | Dhs. 11.46 |
| 15+ | Dhs. 11.10 | Dhs. 166.50 |
| 25+ | Dhs. 10.85 | Dhs. 271.25 |
| 50+ | Dhs. 10.25 | Dhs. 512.50 |
| 100+ | Dhs. 9.05 | Dhs. 905.00 |
| N+ | Dhs. 1.81 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LT |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70 µs, 1,2 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |
GD25LT256EWIGR - Mémoire Flash NOR haute performance de 256 Mbit
La mémoire flash non volatile GD25LT256EWIGR de GigaDevice Semiconductor représente le summum de la technologie, conçue spécifiquement pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Cette mémoire flash NOR de 256 Mbit offre une fiabilité, une vitesse et une efficacité exceptionnelles, même dans les environnements d'exploitation les plus exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances ultra-rapides : une fréquence d’horloge de 200 MHz avec un temps d’accès de 6 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
- Technologie d'interface avancée : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR pour un débit et une flexibilité maximaux
- Fiabilité de niveau industriel : Fonctionnement impeccable dans une plage de températures allant de -40 °C à 85 °C
- Faible consommation d'énergie : la tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique des systèmes embarqués et alimentés par batterie.
- Stockage haute densité : une organisation 32M x 8 offre une capacité de 256 Mbit dans un format compact 8-WSON (5x6).
- Conception à montage en surface : Configuration à pastilles exposées 8-WDFN compacte, idéale pour les circuits imprimés haute densité.
Excellence technique
Basée sur la technologie FLASH NOR (SLC) éprouvée, la mémoire GD25LT256EWIGR offre des performances d'écriture constantes avec des cycles d'écriture de mots de 70 µs et de pages de 1,2 ms. Son architecture à cellule unique garantit une intégrité et une endurance des données supérieures, ce qui en fait le choix idéal pour le stockage de code, les mises à jour de firmware et l'enregistrement de données dans les applications critiques.
Spécifications techniques complètes
Applications
Le GD25LT256EWIGR excelle dans les applications nécessitant un stockage non volatil fiable et à haute vitesse, notamment les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les équipements d'imagerie médicale, l'avionique aérospatiale, les stations de base de télécommunications, les dispositifs périphériques IoT et le stockage du micrologiciel des systèmes embarqués.
Qualité et conformité
Fabriqué par GigaDevice Semiconductor (HK) Limited, ce composant répond aux normes de qualité les plus strictes pour les applications industrielles et commerciales. Son conditionnement en bande et bobine garantit la compatibilité avec les systèmes d'assemblage automatisés et une protection contre les décharges électrostatiques lors de la manipulation et du stockage.
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