GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EBIRY

GD25Q128EBIRY - Mémoire Flash SPI NOR haute performance de 128 Mbit

Le GD25Q128EBIRY de GigaDevice Semiconductor offre une mémoire flash non volatile fiable et rapide pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle et les applications critiques. Ce circuit intégré flash NOR SPI de 128 Mbit (16 Mo x 8) dispose d'une interface d'E/S quadruple pour un débit de données accru et fonctionne à des fréquences d'horloge jusqu'à 133 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 7 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
• Interface d'E/S quadruple : la prise en charge des E/S quadruples SPI permet des débits de transfert de données plus rapides que l'interface SPI standard.
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour diverses conceptions de systèmes.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des conditions environnementales difficiles.
• Encombrement réduit : le boîtier CMS 24-TFBGA (6 x 8 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
• Performances d'écriture rapides : des cycles d'écriture de mots de 70 µs et de pages de 2,4 ms accélèrent les opérations de programmation.

Applications idéales

Idéal pour l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les appareils IoT, le stockage de firmware embarqué, le code BIOS/de démarrage, les systèmes d'enregistrement de données et les équipements de télécommunications nécessitant une mémoire non volatile fiable avec une durée de vie prolongée.

Spécifications techniques

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