GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EFIRR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.72 | Dhs. 4.72 |
| 15+ | Dhs. 4.58 | Dhs. 68.70 |
| 25+ | Dhs. 4.48 | Dhs. 112.00 |
| 50+ | Dhs. 4.23 | Dhs. 211.50 |
| 100+ | Dhs. 3.74 | Dhs. 374.00 |
| N+ | Dhs. 0.75 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25Q |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 16-SOP |
| RoHS |  |
La GD25Q128EFIRR est une solution de mémoire Flash NOR 128 Mbit hautes performances de GigaDevice Semiconductor, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Dotée d'une interface SPI Quad E/S cadencée à 133 MHz, cette mémoire offre des performances de lecture/écriture exceptionnelles et fonctionne dans une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C. Grâce à son organisation 16 Mbits x 8 et sa tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V, la GD25Q128EFIRR fournit un stockage non volatil et fiable pour les systèmes à microcontrôleur, les objets connectés, l'électronique automobile et les applications de contrôle industriel.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : l’interface SPI Quad E/S avec une fréquence d’horloge de 133 MHz permet un accès et un transfert de données rapides.
- Fiabilité de niveau industriel : une plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement stable dans des environnements difficiles.
- Alimentation flexible : large plage de tension (2,7 V à 3,6 V) compatible avec diverses architectures système
- Organisation efficace de la mémoire : configuration 16 Mo x 8 optimisée pour les exigences des systèmes embarqués
- Performances d'écriture rapides : cycles d'écriture de mots de 70 µs et de pages de 2,4 ms pour un stockage de données efficace
- Temps d'accès faible : un temps d'accès de 7 ns garantit une latence minimale pour les applications critiques.
- Boîtier compact : boîtier CMS SOIC 16 broches (largeur 7,50 mm), idéal pour les circuits imprimés compacts.
Spécifications techniques
Applications
- Stockage du micrologiciel du système embarqué
- Configuration des appareils IoT et enregistrement des données
- Systèmes d'infodivertissement et de contrôle automobiles
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- stockage de données des dispositifs médicaux
- Infrastructure de télécommunications
- Électronique grand public et appareils intelligents
Pourquoi choisir GD25Q128EFIRR ?
La mémoire GD25Q128EFIRR allie performances à haute vitesse, fiabilité industrielle et flexibilité d'alimentation dans un boîtier CMS compact. Son interface SPI Quad E/S offre un débit supérieur à celui des mémoires Flash SPI standard, tandis que sa plage de températures étendue garantit un fonctionnement stable même dans des environnements difficiles. Que vous conceviez des objets connectés de nouvelle génération, des systèmes automobiles ou des équipements de contrôle industriel, cette mémoire Flash NOR répond aux exigences de performance et de fiabilité de votre application.
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