GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EQEGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 5.84 | Dhs. 5.84 |
| 15+ | Dhs. 5.65 | Dhs. 84.75 |
| 25+ | Dhs. 5.53 | Dhs. 138.25 |
| 50+ | Dhs. 5.22 | Dhs. 261.00 |
| 100+ | Dhs. 4.61 | Dhs. 461.00 |
| N+ | Dhs. 0.92 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25Q |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 140 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USONS (4x4) |
GD25Q128EQEGR - Mémoire Flash NOR SPI haute performance de 128 Mbit
La mémoire Flash NOR SPI GD25Q128EQEGR de GigaDevice Semiconductor est une solution haut de gamme de 128 Mbit (16 Mo) conçue pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT exigeantes. Cette mémoire Flash haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à sa prise en charge de quatre interfaces d'E/S SPI, permettant des débits de transfert de données rapides jusqu'à 133 MHz pour les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : la fréquence d'horloge de 133 MHz et l'interface SPI Quad E/S garantissent un accès et un transfert de données rapides.
- Capacité généreuse : l’organisation de la mémoire de 128 Mbits (16 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et le code applicatif.
- Large plage de fonctionnement : Fonctionne de manière fiable dans une plage de températures allant de -40 °C à 125 °C, idéal pour les environnements industriels et automobiles difficiles.
- Alimentation flexible : la plage de tension de 2,7 V à 3,6 V s'adapte à différentes configurations de systèmes.
- Encombrement réduit : Boîtier CMS 8-USON (4 x 4 mm) peu encombrant avec pastille exposée pour des performances thermiques améliorées
- Performances d'écriture rapides : des temps de cycle d'écriture de 140 µs pour les mots et de 4 ms pour les pages optimisent l'efficacité du système.
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 7 ns garantit une latence minimale pour les applications critiques en temps réel.
Applications idéales
Cette mémoire flash NOR polyvalente est parfaitement adaptée pour :
- Stockage du micrologiciel du système embarqué et code de démarrage
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- Infrastructure réseau et équipements de télécommunications
- Dispositifs et instruments médicaux
Spécifications techniques
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