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15+ Dhs. 4.89 Dhs. 73.35
25+ Dhs. 4.79 Dhs. 119.75
50+ Dhs. 4.52 Dhs. 226.00
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD25Q
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 16M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 140 µs, 4 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (5x6)

GD25Q128EWJGR - Mémoire Flash SPI NOR haute performance de 128 Mbit

La mémoire GD25Q128EWJGR de GigaDevice Semiconductor offre un stockage non volatil fiable et rapide pour les applications embarquées exigeantes. Cette mémoire Flash NOR Quad SPI de 128 Mbit (16 Mo) fonctionne à des vitesses allant jusqu'à 133 MHz, ce qui la rend idéale pour les contrôleurs industriels, les systèmes automobiles, les objets connectés et les applications critiques nécessitant des temps de démarrage rapides et une intégrité des données optimale.

Conçu pour des plages de températures étendues (-40°C à 105°C) et conditionné dans un format compact 8-WSON, le GD25Q128EWJGR combine performance, fiabilité et efficacité spatiale pour les conceptions embarquées modernes.

Spécifications techniques complètes

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : la fréquence d'horloge de 133 MHz avec interface Quad SPI permet un accès rapide aux données et des temps de démarrage courts pour les applications critiques.
  • Plage de températures étendue : un fonctionnement de qualité industrielle de -40 °C à 105 °C garantit des performances fiables dans les environnements automobiles, industriels et extérieurs difficiles.
  • Format compact : le boîtier 8-WSON (5 x 6 mm) avec pastille exposée optimise l'espace sur la carte tout en offrant d'excellentes performances thermiques.
  • Faible consommation d'énergie : une large plage de tension (2,7 V à 3,6 V) permet de concevoir des appareils portables et alimentés par batterie à faible consommation.
  • Performances d'écriture rapides : des cycles d'écriture de mots de 140 µs et de pages de 4 ms accélèrent les mises à jour du micrologiciel et les opérations d'enregistrement de données.
  • Technologie NAND SLC : L’architecture à cellule unique offre une endurance et une rétention des données supérieures aux alternatives MLC.

Applications typiques

  • Systèmes d'infodivertissement automobile et modules ADAS
  • Contrôleurs d'automatisation industrielle et automates programmables
  • Dispositifs IoT périphériques et capteurs intelligents
  • Équipements médicaux et instruments de diagnostic
  • Équipements de réseau et routeurs
  • Appareils électroniques grand public nécessitant le stockage de code

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