GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CEIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.85 | $0.85 |
| 15+ | $0.82 | $12.30 |
| 25+ | $0.80 | $20.00 |
| 50+ | $0.76 | $38.00 |
| 100+ | $0.67 | $67.00 |
| N+ | $0.13 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 120 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 50 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (2x3) |
| RoHS |  |
GD25Q16CEIGR - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances
La GD25Q16CEIGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR SPI de 16 Mbits (2 Mo x 8) haute fiabilité, conçue pour les applications embarquées exigeantes. Dotée d'une interface SPI à quatre E/S et d'une fréquence d'horloge de 120 MHz, cette mémoire Flash de qualité industrielle offre des performances exceptionnelles et une excellente rétention des données pour les secteurs de l'automobile, du contrôle industriel, de l'IoT et de l'électronique grand public.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : fréquence d’horloge de 120 MHz avec interface E/S quadruple SPI pour un accès rapide aux données
- Boîtier compact 8-USON : format ultra-compact de 2 x 3 mm, idéal pour les espaces restreints.
- Large plage de fonctionnement : la plage de températures de -40 °C à 85 °C garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
- Alimentation flexible : plage de tension de 2,7 V à 3,6 V compatible avec la plupart des systèmes embarqués
- Performances d'écriture rapides : écriture d'un mot en 50 µs, temps de cycle d'écriture d'une page en 2,4 ms
- Conforme à la directive RoHS : fabrication respectueuse de l’environnement et sans plomb
Applications idéales
Cette mémoire flash NOR polyvalente est idéale pour le stockage de firmware, de code de démarrage, de données de configuration et l'enregistrement de données dans l'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les compteurs intelligents et les systèmes informatiques embarqués.
Spécifications techniques
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