GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ETEGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.32 | Dhs. 2.32 |
| 15+ | Dhs. 2.24 | Dhs. 33.60 |
| 25+ | Dhs. 2.20 | Dhs. 55.00 |
| 50+ | Dhs. 2.07 | Dhs. 103.50 |
| 100+ | Dhs. 1.83 | Dhs. 183.00 |
| N+ | Dhs. 0.37 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25Q |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 140 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
GD25Q16ETEGR - Circuit intégré de mémoire flash NOR SPI 16 Mbit
Le GD25Q16ETEGR est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances, fabriqué par GigaDevice Semiconductor (HK) Limited . Ce composant semi-conducteur authentique intègre une interface SPI Quad I/O avancée, offrant des performances de lecture/écriture exceptionnelles à des fréquences d'horloge allant jusqu'à 133 MHz. Conçu pour les applications industrielles, ce circuit intégré de mémoire Flash fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures, de -40 °C à 125 °C.
Avec une organisation mémoire de 2 Mo x 8 et un boîtier CMS 8 broches SOIC compact, le GD25Q16ETEGR offre un équilibre idéal entre capacité, vitesse et encombrement pour les systèmes embarqués, les objets connectés, le stockage de firmware et les applications d'acquisition de données. Ce composant supporte une large plage de tensions d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V, garantissant ainsi sa compatibilité avec diverses architectures système.
Principales caractéristiques et avantages :
- Capacité de stockage de 16 Mbit (2 Mo) : espace suffisant pour le firmware, les données de configuration et le code applicatif.
- Interface d'E/S quadruple SPI - Débit de données amélioré grâce à la communication à quatre voies
- Fréquence d'horloge de 133 MHz - Opérations de lecture et d'écriture rapides pour les applications critiques en termes de temps.
- Plage de températures industrielles - Fonctionnement fiable de -40 °C à 125 °C (TA)
- Temps d'accès réduit : 7 ns pour des performances système optimales.
- Boîtier SOIC 8 broches compact - Conception de montage en surface peu encombrante (largeur de 3,90 mm)
- Large plage de tension d'alimentation - Compatibilité avec les tensions d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation :
La mémoire Flash NOR GD25Q16ETEGR est idéale pour :
- Stockage du micrologiciel du système embarqué et code de démarrage
- Configuration des appareils IoT et enregistrement des données
- Systèmes de contrôle industriel et automatisation
- Électronique grand public et appareils intelligents
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs et instruments médicaux
- Équipement de télécommunications
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- ✓ Emballage scellé en usine (bande et bobine)
- ✓ Couverture complète de la garantie du fabricant
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Référence : GD25Q16ETEGR | Fabricant : GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Boîtier : 8-SOP (8-SOIC) | Conforme à la directive RoHS
GD25Q16ETEGR.pdf