GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ETJGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.02 | Dhs. 2.02 |
| 15+ | Dhs. 1.97 | Dhs. 29.55 |
| 25+ | Dhs. 1.93 | Dhs. 48.25 |
| 50+ | Dhs. 1.82 | Dhs. 91.00 |
| 100+ | Dhs. 1.61 | Dhs. 161.00 |
| N+ | Dhs. 0.32 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25Q |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 140 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
GD25Q16ETJGR - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances
La mémoire Flash NOR GD25Q16ETJGR de GigaDevice Semiconductor est une solution haute fiabilité de 16 Mbits conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage rapide et non volatil. Ce composant authentique est doté d'une interface SPI quadruple pour un débit de données accru et est idéal pour le stockage de firmware, l'exécution de code et l'enregistrement de données.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 7 ns garantit une récupération rapide des données.
- Interface Quad SPI : la prise en charge des E/S quadruples SPI offre une bande passante supérieure pour les applications exigeantes.
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C en milieu industriel.
- Alimentation flexible : la plage de tension de 2,7 V à 3,6 V s'adapte à différentes configurations de systèmes.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-SOIC permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Performances d'écriture rapides : temps de cycle d'écriture d'un mot de 140 µs, temps de cycle d'écriture d'une page de 4 ms.
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire flash NOR polyvalente est idéale pour :
- Stockage du firmware embarqué et code de démarrage
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- Systèmes de contrôle industriels
- électronique automobile
- Électronique et appareils électroménagers
- Équipements de réseau et de communication
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