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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70 µs, 2 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (5x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

GD25Q16EWIGR - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances

La mémoire Flash NOR GD25Q16EWIGR de GigaDevice Semiconductor est une solution haute performance de 16 Mbits conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage fiable et non volatil. Dotée d'une interface SPI Quad E/S et d'une fréquence d'horloge de 133 MHz, cette mémoire Flash offre des performances de lecture/écriture exceptionnelles pour les applications industrielles et grand public.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de stockage de 16 Mbits : l’organisation en 2 Mo x 8 offre un espace suffisant pour le firmware, les données de configuration et le code applicatif.
  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 7 ns garantit une récupération rapide des données.
  • Interface SPI quadruple E/S : Débit amélioré grâce à la prise en charge de quatre interfaces SPI pour les applications gourmandes en bande passante.
  • Large plage de tension : fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V, compatible avec la plupart des systèmes embarqués.
  • Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA) pour un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles
  • Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (5 x 6 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
  • Cycles d'écriture rapides : écriture d'un mot en 70 µs, écriture d'une page en 2 ms pour une programmation efficace
  • Conforme à la directive RoHS : fabrication respectueuse de l’environnement et sans plomb

Spécifications techniques

Applications

Le GD25Q16EWIGR est idéal pour une large gamme d'applications embarquées, notamment :

  • Systèmes de contrôle industriel et automatisation
  • Dispositifs IoT et capteurs intelligents
  • Électronique et appareils électroménagers
  • Électronique automobile (infodivertissement, tableaux de bord)
  • Dispositifs et instruments médicaux
  • Équipements de réseau et de télécommunications
  • stockage du BIOS et du firmware

Pourquoi choisir la mémoire flash GigaDevice ?

GigaDevice Semiconductor est un fournisseur mondial de premier plan de solutions de mémoire flash, reconnu pour sa qualité, sa fiabilité et ses performances exceptionnelles. La mémoire GD25Q16EWIGR associe une technologie flash NOR éprouvée à des normes d'interface modernes, ce qui en fait un excellent choix pour les nouvelles conceptions comme pour les mises à niveau des systèmes existants.

Informations de commande

Disponible en bande coupée (CT) et en bobine (TR) pour répondre à vos besoins de production. Contactez notre équipe technique pour obtenir des tarifs dégressifs, des emballages personnalisés ou une assistance technique.


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