GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40EEAGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 1.91 | Dhs. 1.91 |
| 15+ | Dhs. 1.86 | Dhs. 27.90 |
| 25+ | Dhs. 1.82 | Dhs. 45.50 |
| 50+ | Dhs. 1.72 | Dhs. 86.00 |
| 100+ | Dhs. 1.52 | Dhs. 152.00 |
| N+ | Dhs. 0.30 | Price Inquiry |
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GD25Q40EEAGR - Mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit hautes performances
La mémoire Flash NOR GD25Q40EEAGR de GigaDevice Semiconductor est une solution haut de gamme de 4 Mbits, dotée de quatre interfaces d'E/S SPI, conçue pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable et rapide. Grâce à son organisation 512 Ko x 8 et sa fréquence d'horloge de 133 MHz, cette mémoire Flash offre des performances exceptionnelles pour les applications industrielles, automobiles et électroniques grand public.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec interface SPI à quatre E/S pour un accès rapide aux données
- Stockage fiable : capacité de 4 Mbit (512 Ko) avec technologie NAND SLC garantissant l’intégrité des données
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 125 °C, idéal pour les environnements difficiles.
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Performances d'écriture rapides : écriture d'un mot en 140 µs, temps de cycle d'écriture d'une page en 4 ms
- Conception pour montage en surface : le boîtier compact 8-USON (3 x 2 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
Spécifications techniques
Applications
Ce composant de mémoire flash polyvalent est idéal pour :
- Systèmes de contrôle industriel et automatisation
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- Appareils électroniques grand public nécessitant le stockage du micrologiciel
- Dispositifs et instruments médicaux
- Équipement de télécommunications
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25Q |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 140 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x2) |
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