GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64ETJGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 3.07 | Dhs. 3.07 |
| 15+ | Dhs. 2.96 | Dhs. 44.40 |
| 25+ | Dhs. 2.90 | Dhs. 72.50 |
| 50+ | Dhs. 2.74 | Dhs. 137.00 |
| 100+ | Dhs. 2.42 | Dhs. 242.00 |
| N+ | Dhs. 0.48 | Price Inquiry |
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Le GD25Q64ETJGR est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances, fabriqué par GigaDevice Semiconductor. Cette solution de mémoire non volatile de qualité industrielle est dotée d'une interface SPI à quatre entrées/sorties avec une fréquence d'horloge de 133 MHz, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, les objets connectés, les applications automobiles et les systèmes de contrôle industriels nécessitant un stockage de données fiable.
Principales caractéristiques et avantages :
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec interface SPI à quatre E/S pour un transfert de données rapide
- Capacité généreuse : l’organisation de la mémoire de 64 Mbits (8 M x 8) offre un espace de stockage suffisant pour le micrologiciel et les données.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V avec une plage de température étendue (-40 °C à 105 °C)
- Boîtier compact : Boîtier CMS 8-SOIC (largeur 3,90 mm) peu encombrant
- Fiabilité industrielle : la technologie NOR Flash SLC garantit l'intégrité des données et leur conservation à long terme
- Performances d'écriture rapides : écriture d'un mot en 140 µs, temps de cycle d'écriture d'une page en 4 ms
- Accès rapide : temps d’accès de 7 ns pour des performances système réactives.
Applications : Stockage de microprogrammes embarqués, systèmes BIOS/UEFI, calculateurs automobiles, contrôleurs industriels, dispositifs périphériques IoT, électronique grand public, équipements médicaux et infrastructure de télécommunications.
Spécifications techniques
Le GD25Q64ETJGR est conditionné en bande et bobine, ce qui le rend idéal pour les processus d'assemblage automatisés à haut volume. Sa conception robuste et sa large plage de températures de fonctionnement en font un excellent choix pour les applications critiques en environnements difficiles.
Pourquoi choisir GD25Q64ETJGR ?
Ce circuit intégré de mémoire flash offre une fiabilité exceptionnelle pour les applications industrielles et automobiles. Son interface SPI Quad E/S assure un débit de données élevé tout en minimisant le nombre de broches, ce qui réduit la complexité et le coût des circuits imprimés. Grâce à sa technologie flash NOR éprouvée, le GD25Q64ETJGR garantit la conservation des données et une grande endurance pour les applications embarquées exigeantes.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25Q |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 140 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |

GD25Q64ETJGR.pdf