GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EWEGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 3.86 | Dhs. 3.86 |
| 15+ | Dhs. 3.73 | Dhs. 55.95 |
| 25+ | Dhs. 3.65 | Dhs. 91.25 |
| 50+ | Dhs. 3.44 | Dhs. 172.00 |
| 100+ | Dhs. 3.04 | Dhs. 304.00 |
| N+ | Dhs. 0.61 | Price Inquiry |
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GD25Q64EWEGR - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances
La mémoire Flash NOR GD25Q64EWEGR de GigaDevice Semiconductor est une solution haut de gamme de 64 Mbits conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage non volatil fiable et rapide. Cette mémoire Flash SPI Quad E/S avancée offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 7 ns, ce qui la rend idéale pour l'exécution de code, l'enregistrement de données et le stockage de firmware dans des environnements exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l'organisation de la mémoire de 64 Mbit (8 Mo x 8) offre un espace suffisant pour les applications complexes.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 133 MHz avec un temps d'accès de 7 ns garantit une récupération rapide des données.
- Interface d'E/S quadruple : la prise en charge des E/S quadruples SPI permet un débit plus élevé pour les opérations nécessitant un traitement intensif des données.
- Large plage de fonctionnement : la plage de température de -40 °C à 125 °C convient aux applications automobiles et industrielles.
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (5 x 6 mm) permet de gagner un espace précieux sur la carte.
- Performances d'écriture fiables : temps de cycle d'écriture par mot de 140 µs, temps de cycle d'écriture par page de 4 ms.
Spécifications techniques
Applications
Le GD25Q64EWEGR est parfaitement adapté pour :
- Stockage du micrologiciel du système embarqué et code de démarrage
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- Équipements et instruments médicaux
- Infrastructure de télécommunications
- Électronique grand public nécessitant une mémoire non volatile fiable
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25Q |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 140 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |

GD25Q64EWEGR.pdf