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La GD25Q64EWJGR est une mémoire Flash NOR 64 Mbit hautes performances de GigaDevice Semiconductor, conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Cette mémoire Flash SPI à quatre E/S offre une fiabilité exceptionnelle avec des températures de fonctionnement allant de -40 °C à 105 °C, ce qui la rend idéale pour les environnements difficiles.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Capacité de stockage de 64 Mbit (8 Mo x 8) pour une conservation robuste des données
  • Interface d'E/S quadruple SPI haute vitesse avec une fréquence d'horloge de 133 MHz
  • Temps d'accès ultra-rapide de 7 ns pour une récupération de données ultra-rapide
  • Large plage de tension (2,7 V ~ 3,6 V) pour une intégration système flexible
  • Boîtier compact 8-WSON (5x6) pour montage en surface, idéal pour les conceptions à espace restreint.
  • Tolérance aux températures de qualité industrielle (-40°C à 105°C)

Spécifications techniques :

Applications :

Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique grand public et toute application nécessitant un stockage de données non volatile fiable avec un accès aux données à haute vitesse.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD25Q
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 140 µs, 4 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (5x6)

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