GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R64ESIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.01 | Dhs. 4.01 |
| 15+ | Dhs. 3.89 | Dhs. 58.35 |
| 25+ | Dhs. 3.81 | Dhs. 95.25 |
| 50+ | Dhs. 3.60 | Dhs. 180.00 |
| 100+ | Dhs. 3.17 | Dhs. 317.00 |
| N+ | Dhs. 0.63 | Price Inquiry |
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GD25R64ESIGR - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances
La mémoire Flash NOR SPI GD25R64ESIGR de GigaDevice Semiconductor, d'une capacité de 64 Mbits (8 Mo x 8), offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Ce composant authentique garantit des performances exceptionnelles grâce à sa prise en charge de quatre interfaces SPI et à sa fréquence d'horloge de 200 MHz, ce qui le rend idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données et les mises à jour de firmware dans les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d'horloge de 200 MHz avec interface E/S quadruple SPI pour un accès rapide aux données
- Plage de fonctionnement robuste : la plage de températures de -40 °C à 85 °C garantit un fonctionnement fiable dans des environnements industriels difficiles.
- Alimentation flexible : plage de tension de 2,7 V à 3,6 V compatible avec la plupart des systèmes embarqués
- Technologie Flash NOR éprouvée : architecture SLC (Single-Level Cell) pour une endurance et une rétention des données supérieures
- Boîtier compact : boîtier CMS SOIC 8 broches (largeur de 5,30 mm) optimisé pour les circuits imprimés compacts.
Spécifications techniques
Applications
Le GD25R64ESIGR est conçu pour les applications exigeant un stockage non volatil fiable, notamment les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les objets connectés, les équipements médicaux, les infrastructures de télécommunications et l'électronique grand public. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste le rendent adapté aux environnements difficiles.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25R |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
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