GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R64EWIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.27 | Dhs. 4.27 |
| 15+ | Dhs. 4.14 | Dhs. 62.10 |
| 25+ | Dhs. 4.05 | Dhs. 101.25 |
| 50+ | Dhs. 3.83 | Dhs. 191.50 |
| 100+ | Dhs. 3.38 | Dhs. 338.00 |
| N+ | Dhs. 0.68 | Price Inquiry |
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GD25R64EWIGR - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances
La GD25R64EWIGR de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire Flash NOR SPI (Serial Peripheral Interface) haut de gamme de 64 Mbits, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeant un stockage non volatil fiable et rapide. Appartenant à la gamme éprouvée GD25R, ce composant offre des performances exceptionnelles grâce à sa prise en charge de quatre interfaces SPI et à sa fréquence d'horloge de 200 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de stockage de 64 Mbits (8 Mo) : l’organisation de la mémoire en 8 M x 8 offre un espace suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et le code applicatif.
- Interface SPI quadruple haute vitesse : la prise en charge de l’interface SPI quadruple permet un débit de données plus rapide que l’interface SPI standard, idéal pour les applications critiques en termes de performances.
- Fréquence d'horloge de 200 MHz : une vitesse d'horloge de pointe qui garantit des opérations de lecture rapides et une excellente réactivité du système.
- Large plage de tension de fonctionnement : compatibilité avec une tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V, prenant en charge diverses architectures système.
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) garantissant la fiabilité dans des conditions environnementales difficiles.
- Boîtier compact 8-WSON : son format de montage en surface de 5 x 6 mm optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
- Technologie NAND SLC : l’architecture à cellule unique offre une endurance et une rétention des données supérieures.
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
Le GD25R64EWIGR est idéal pour :
- Stockage du micrologiciel du système embarqué et code de démarrage
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Dispositifs IoT et plateformes de calcul en périphérie
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs et instruments médicaux
- Équipements de télécommunications et de réseau
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25R |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |
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