GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R64EYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.27 | Dhs. 4.27 |
| 15+ | Dhs. 4.14 | Dhs. 62.10 |
| 25+ | Dhs. 4.05 | Dhs. 101.25 |
| 50+ | Dhs. 3.83 | Dhs. 191.50 |
| 100+ | Dhs. 3.38 | Dhs. 338.00 |
| N+ | Dhs. 0.68 | Price Inquiry |
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GD25R64EYIGR - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances
La mémoire Flash GD25R64EYIGR de GigaDevice Semiconductor est un dispositif haut de gamme de 64 Mbits (8 Mo x 8) au format NOR SPI, conçu pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Dotée d'une interface SPI à quatre E/S et d'une fréquence d'horloge de 200 MHz, cette mémoire Flash offre des performances de lecture/écriture exceptionnelles tout en maintenant une consommation d'énergie ultra-faible sur une plage de températures allant de -40 °C à 85 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz et une interface d'E/S quadruple SPI garantissent un accès rapide aux données pour les applications critiques en termes de temps.
- Plage de fonctionnement robuste : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V avec une tolérance de température de qualité industrielle de -40 °C à 85 °C
- Encombrement réduit : Boîtier 8-WSON (6 x 8 mm) peu encombrant avec pastille exposée pour des performances thermiques améliorées
- Stockage fiable : capacité de 64 Mbits organisée en 8 Mo x 8, idéale pour le stockage de firmware, l’enregistrement de données et la gestion de la configuration.
- Technologie de montage en surface : Conditionnement en bande et bobine pour les processus d'assemblage automatisés
Spécifications techniques
Applications
Le GD25R64EYIGR est parfaitement adapté pour :
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Stockage du firmware embarqué et code de démarrage
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs et instruments médicaux
- Infrastructure réseau et télécommunications
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25R |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
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