GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WB256EFIRR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.73 | Dhs. 8.73 |
| 15+ | Dhs. 8.45 | Dhs. 126.75 |
| 25+ | Dhs. 8.26 | Dhs. 206.50 |
| 50+ | Dhs. 7.80 | Dhs. 390.00 |
| 100+ | Dhs. 6.89 | Dhs. 689.00 |
| N+ | Dhs. 1.38 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25WB |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 150 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 7,5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 16-SOP |
GD25WB256EFIRR - Circuit intégré de mémoire flash NOR haute performance de 256 Mbit
La GD25WB256EFIRR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR 256 Mbit haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués critiques et les applications industrielles. Dotée d'une interface SPI Quad E/S avancée, cette mémoire Flash haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 104 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 7,5 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 256 Mbits (32 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, des données et du code.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 104 MHz avec un temps d'accès de 7,5 ns garantit une récupération rapide des données.
- Interface flexible : l'interface SPI Quad E/S permet une communication série à haut débit
- Large plage de tension : fonctionnement de 1,65 V à 3,6 V, compatible avec diverses architectures système.
- Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA) pour un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles
- Boîtier compact : boîtier CMS SOIC 16 broches (largeur 7,50 mm) pour des circuits imprimés compacts.
Applications
Idéal pour l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications, les systèmes aérospatiaux et les dispositifs IoT périphériques nécessitant des solutions de mémoire non volatiles et haute fiabilité.
Spécifications techniques complètes
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Disponibilité : En stock pour expédition immédiate | Conditionnement : Bande et bobine (TR) | Conforme à la directive RoHS
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