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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD25WB
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 104 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 300 µs, 8 ms
Temps d'accès 7,5 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (6x8)

GD25WB256EYJGR - Mémoire Flash SPI NOR haute performance de 256 Mbits

La mémoire Flash NOR GD25WB256EYJGR de GigaDevice Semiconductor est une solution haute fiabilité de 256 Mbits (32 Mo) conçue pour les applications embarquées exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce dispositif de mémoire non volatile avancé offre des performances exceptionnelles grâce à sa prise en charge de l'interface SPI Quad E/S et fonctionne à des fréquences d'horloge allant jusqu'à 104 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 256 Mbits (32 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour le micrologiciel, l’enregistrement des données et les paramètres de configuration.
  • Performances rapides : une fréquence d’horloge de 104 MHz avec un temps d’accès de 7,5 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
  • Interface flexible : l’interface SPI Quad E/S permet une communication série à haut débit avec un nombre minimal de broches.
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 1,65 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures d’alimentation et conceptions à faible consommation.
  • Plage de température étendue : fonctionnement de -40 °C à 105 °C (TA) garantissant la fiabilité dans les environnements industriels et automobiles difficiles.
  • Format compact : le boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) avec pastille exposée optimise l'espace sur la carte et les performances thermiques.
  • Opérations d'écriture fiables : des temps de cycle d'écriture de 300 µs par mot et de 8 ms par page garantissent des performances de programmation constantes.

Applications idéales

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable et rapide, notamment les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications, les appareils IoT et les applications de stockage de micrologiciels.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir la mémoire flash NOR de GigaDevice ?

GigaDevice Semiconductor est un fournisseur de premier plan de solutions de mémoire haute fiabilité, plébiscitées par les ingénieurs du monde entier. La série GD25WB associe la technologie Flash NOR éprouvée à des spécifications de performance modernes, ce qui en fait un excellent choix pour les applications critiques exigeant l'intégrité des données, l'endurance et une disponibilité à long terme.

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