GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40CEIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 1.84 | Dhs. 1.84 |
| 15+ | Dhs. 1.79 | Dhs. 26.85 |
| 25+ | Dhs. 1.76 | Dhs. 44.00 |
| 50+ | Dhs. 1.66 | Dhs. 83.00 |
| 100+ | Dhs. 1.46 | Dhs. 146.00 |
| N+ | Dhs. 0.29 | Price Inquiry |
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GD25WD40CEIGR - Circuit intégré de mémoire flash NOR SPI 4 Mbit
Le GD25WD40CEIGR est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit hautes performances, fabriqué par GigaDevice Semiconductor. Ce composant de mémoire Flash de qualité industrielle est doté d'une interface SPI Quad E/S, offrant un stockage non volatil fiable pour les systèmes embarqués, les applications automobiles et les objets connectés.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 4 Mbit – L’organisation en 512 Ko x 8 offre un espace de stockage suffisant pour le firmware, les données de configuration et le code de démarrage.
- Interface SPI Quad E/S - Interface périphérique série haute vitesse permettant un transfert de données rapide et une intégration système efficace
- Large plage de tension : fonctionne de 1,65 V à 3,6 V, compatible avec diverses plateformes de microcontrôleurs
- Plage de températures industrielles - Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles et les applications automobiles
- Boîtier compact 8 USON - Conception CMS 2x3 mm peu encombrante optimisant l'espace sur le circuit imprimé
- Conforme à la directive RoHS - Respectueux de l'environnement, conforme aux normes internationales relatives aux restrictions sur les substances dangereuses
Applications
La mémoire flash NOR GD25WD40CEIGR est idéale pour :
- Systèmes électroniques automobiles et ADAS
- équipements de contrôle et d'automatisation industriels
- Dispositifs IoT périphériques et capteurs intelligents
- Électronique grand public et objets connectés
- Applications de stockage de firmware et de code de démarrage
- Enregistrement des données et stockage de la configuration
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (2x3) |
| RoHS |

GD25WD40CEIGR.pdf