GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80CEIGR

GD25WD80CEIGR - Circuit intégré de mémoire flash NOR SPI 8 Mbit

La GD25WD80CEIGR est une mémoire Flash NOR SPI 8 Mbit hautes performances de GigaDevice Semiconductor, conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable. Cette mémoire Flash dispose d'une interface SPI à quatre entrées/sorties pour des transferts de données rapides et fonctionne sur une large plage de tensions (de 1,65 V à 3,6 V), ce qui la rend idéale pour les applications industrielles et alimentées par batterie.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité mémoire de 8 Mbit (1 Mo x 8) : espace de stockage suffisant pour le firmware, les données de configuration et l’exécution du code.
• Interface d'E/S quadruple SPI - Débit de données amélioré pour des temps de démarrage et des performances système plus rapides.
• Large plage de tension de fonctionnement (1,65 V ~ 3,6 V) - Compatible avec diverses alimentations.
• Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable en environnements difficiles
• Boîtier compact 8 USON (2 x 3 mm) - Conception à montage en surface peu encombrante
• Conforme à la norme RoHS – Respectueux de l’environnement et conforme aux normes internationales

Applications

Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les appareils IoT, l'électronique grand public et les plateformes informatiques embarquées nécessitant un stockage de mémoire flash fiable.

Spécifications techniques

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