GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80CTIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.06 | Dhs. 2.06 |
| 15+ | Dhs. 2.00 | Dhs. 30.00 |
| 25+ | Dhs. 1.95 | Dhs. 48.75 |
| 50+ | Dhs. 1.84 | Dhs. 92.00 |
| 100+ | Dhs. 1.63 | Dhs. 163.00 |
| N+ | Dhs. 0.33 | Price Inquiry |
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GD25WD80CTIGR - Mémoire Flash NOR SPI 8 Mbit hautes performances
La mémoire flash GD25WD80CTIGR de GigaDevice Semiconductor est un dispositif de mémoire flash NOR 8 Mbit haute fiabilité doté d'une interface SPI Quad E/S avancée. Conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données rapide et non volatil, cette mémoire flash offre des performances exceptionnelles sur une large plage de températures industrielles.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de stockage de 8 Mbit : l’organisation de la mémoire en 8 Mo (1 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le stockage du firmware, des données de configuration et du code.
- Interface SPI Quad E/S : Débit amélioré grâce à une interface périphérique série à quatre voies pour des opérations de lecture/écriture plus rapides.
- Large plage de tension : fonctionne de 1,65 V à 3,6 V, compatible avec les systèmes 1,8 V et 3,3 V
- Classe de température industrielle : Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements exigeants.
- Boîtier compact 8-SOP : conception à montage en surface peu encombrante (8-SOIC, largeur 3,90 mm)
- Conforme à la norme RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, l'électronique grand public et toute application nécessitant un stockage de mémoire non volatile fiable avec un accès série rapide.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
GD25WD80CTIGR.pdf