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GD25WD80EKEGR - Mémoire Flash NOR SPI 8 Mbit hautes performances

La puce mémoire Flash NOR 8 Mbit (1 Mo x 8) haute fiabilité GigaDevice GD25WD80EKEGR est conçue pour les applications embarquées exigeantes. Cette mémoire Flash de qualité industrielle est dotée d'une interface SPI double E/S avec une fréquence d'horloge de 104 MHz, offrant des performances de lecture/écriture rapides pour les applications gourmandes en données dans les secteurs de l'automobile, du contrôle industriel et de l'IoT.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 104 MHz avec un temps d'accès de 6 ns assure une récupération rapide des données.
  • Interface SPI double E/S : débit amélioré pour un transfert de données efficace
  • Large plage de tension : fonctionnement de 1,65 V à 3,6 V pour une conception d’alimentation flexible
  • Plage de températures industrielles : -40 °C à 125 °C (TA) pour une fiabilité en environnement difficile
  • Boîtier compact : montage en surface 8-USON (1,5 x 1,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
  • Faible consommation d'énergie : Idéal pour les applications alimentées par batterie et économes en énergie

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire flash NOR polyvalente est idéale pour :

  • Systèmes électroniques automobiles et ADAS
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Dispositifs IoT et capteurs intelligents
  • Équipements et instruments médicaux
  • Appareils électroniques grand public nécessitant le stockage de code
  • Stockage du firmware et du code de démarrage

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Chez HQICKEY , nous garantissons l'authenticité de nos composants GigaDevice et bénéficions de la garantie constructeur complète. Chaque puce provient directement de distributeurs agréés et fait l'objet de contrôles qualité rigoureux. Nous proposons une livraison internationale avec emballage sécurisé et un support technique pour vos projets de systèmes embarqués.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD25WD
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 8 Mbits
Organisation de la mémoire 1M x 8
Interface mémoire SPI - Double E/S
Fréquence d'horloge 104 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 120 µs, 6 ms
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Coussinet exposé 8-XFDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-USON (1,5 x 1,5)

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