GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ16ENIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.25 | Dhs. 2.25 |
| 15+ | Dhs. 2.17 | Dhs. 32.55 |
| 25+ | Dhs. 2.12 | Dhs. 53.00 |
| 50+ | Dhs. 2.01 | Dhs. 100.50 |
| 100+ | Dhs. 1.77 | Dhs. 177.00 |
| N+ | Dhs. 0.35 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25WQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 120 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-UDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x4) |
GD25WQ16ENIGR - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances
La GD25WQ16ENIGR est une puce de mémoire Flash NOR SPI (Serial Peripheral Interface) haute performance de 16 Mbits, fabriquée par GigaDevice Semiconductor. Cette solution de mémoire Flash avancée offre une fiabilité et des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les objets connectés et les applications industrielles.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : fréquence d’horloge de 104 MHz avec interface SPI à quatre E/S pour un transfert de données rapide
- Alimentation flexible : une large plage de tension (1,65 V à 3,6 V) permet la compatibilité avec diverses conceptions de systèmes.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements exigeants.
- Encombrement réduit : Boîtier de montage en surface 8-USON (3 x 4 mm) peu encombrant
- Performances d'écriture rapides : temps de cycle d'écriture par mot de 120 µs et par page de 4 ms.
- Accès rapide : temps d’accès de 12 ns pour des performances système réactives
Applications idéales
Cette mémoire flash NOR polyvalente est idéale pour le stockage de code, l'enregistrement de données, les mises à jour de firmware et la configuration des systèmes embarqués. Que vous conceviez des appareils électroniques grand public, des contrôleurs industriels, des systèmes automobiles ou des objets connectés, la GD25WQ16ENIGR offre le stockage non volatil fiable dont votre projet a besoin.
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Spécifications techniques
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