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Prix habituel Dhs. 2.02
Prix habituel Dhs. 2.14 Prix promotionnel Dhs. 2.02
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 2.02 Dhs. 2.02
15+ Dhs. 1.97 Dhs. 29.55
25+ Dhs. 1.93 Dhs. 48.25
50+ Dhs. 1.82 Dhs. 91.00
100+ Dhs. 1.61 Dhs. 161.00
N+ Dhs. 0.32 Price Inquiry
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD25WQ
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 104 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 120 µs, 4 ms
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP

GD25WQ16ESIGR - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances

La GD25WQ16ESIGR est une mémoire Flash NOR SPI (Serial Peripheral Interface) de 16 Mbits haut de gamme, fabriquée par GigaDevice Semiconductor. Cette solution de mémoire Flash haute fiabilité offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les objets connectés et les applications industrielles nécessitant un stockage de données non volatiles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 104 MHz avec un temps d'accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
  • Interface d'E/S quadruple : la prise en charge des E/S quadruples SPI permet des débits de transfert de données plus rapides pour les applications gourmandes en bande passante.
  • Large plage de tension : fonctionne de 1,65 V à 3,6 V, offrant une grande flexibilité pour diverses configurations d’alimentation.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 8 boîtiers SOIC (largeur de 5,30 mm) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
  • Performances d'écriture fiables : des temps de cycle d'écriture de 120 µs par mot et de 4 ms par page garantissent une programmation des données efficace.

Spécifications techniques

Applications

Le GD25WQ16ESIGR est parfaitement adapté pour :

  • Stockage du micrologiciel du système embarqué et code de démarrage
  • Configuration des appareils IoT et enregistrement des données
  • systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
  • Électronique grand public nécessitant une mémoire non volatile fiable
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Dispositifs et instruments médicaux

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