GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ40EEEGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 1.91 | Dhs. 1.91 |
| 15+ | Dhs. 1.86 | Dhs. 27.90 |
| 25+ | Dhs. 1.82 | Dhs. 45.50 |
| 50+ | Dhs. 1.72 | Dhs. 86.00 |
| 100+ | Dhs. 1.52 | Dhs. 152.00 |
| N+ | Dhs. 0.30 | Price Inquiry |
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GD25WQ40EEEGR - Mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit hautes performances
La mémoire Flash NOR GD25WQ40EEEGR de GigaDevice Semiconductor est une solution haute fiabilité de 4 Mbits conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage rapide et non volatil. Dotée d'une interface SPI Quad E/S cadencée à 84 MHz, cette mémoire compacte en boîtier 8 USON offre des performances exceptionnelles sur une large plage de températures industrielles.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 84 MHz et un temps d'accès de 7 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Alimentation flexible : sa large plage de tension (1,65 V - 3,6 V) assure la compatibilité avec diverses architectures système.
- Fiabilité de niveau industriel : Sa plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 125 °C la rend idéale pour les applications automobiles, aérospatiales et en environnements difficiles.
- Format compact : le boîtier CMS 8-USON (3 x 2 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
- Organisation efficace de la mémoire : l’architecture 512 Ko x 8 optimise les modèles d’accès aux données
- Performances d'écriture rapides : des cycles d'écriture de mots de 240 µs et de pages de 8 ms accélèrent les opérations de programmation.
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire flash NOR polyvalente est idéale pour :
- Stockage du firmware embarqué et code de démarrage
- Enregistrement des données et stockage de la configuration
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Systèmes de contrôle industriels et dispositifs IoT
- Équipements et instruments médicaux
- applications aérospatiales et de défense
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Ressources et assistance techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25WQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 84 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 240 µs, 8 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x2) |
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