GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64E3IGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 3.30 | Dhs. 3.30 |
| 15+ | Dhs. 3.20 | Dhs. 48.00 |
| 25+ | Dhs. 3.13 | Dhs. 78.25 |
| 50+ | Dhs. 2.96 | Dhs. 148.00 |
| 100+ | Dhs. 2.61 | Dhs. 261.00 |
| N+ | Dhs. 0.52 | Price Inquiry |
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GD25WQ64E3IGR - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances
La mémoire Flash NOR GD25WQ64E3IGR de GigaDevice Semiconductor, d'une capacité de 64 Mbits (8 Mo x 8), offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Dotée d'une interface SPI Quad E/S avancée, cette mémoire Flash garantit des performances de lecture/écriture exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 104 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 12 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : la fréquence d'horloge de 104 MHz et l'interface SPI Quad E/S garantissent un transfert de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.
- Large plage de tension : le fonctionnement de 1,65 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour diverses configurations d’alimentation.
- Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
- Encombrement réduit : la conception CMS 14-WLCSP (boîtier à l'échelle de la puce au niveau de la plaquette) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Architecture NOR fiable : la technologie Flash SLC (Single-Level Cell) garantit l'intégrité des données et une fiabilité à long terme
- Performances d'écriture rapides : des temps de cycle d'écriture de 120 µs pour les mots et de 4 ms pour les pages optimisent le débit du système.
Applications idéales
Cette solution de mémoire est parfaitement adaptée au stockage de code, aux mises à jour de firmware, à l'enregistrement de données et au stockage de configuration dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les appareils IoT, les équipements médicaux et les systèmes aérospatiaux où la fiabilité et les performances sont primordiales.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25WQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 120 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 14-XFBGA, WLCSP |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 14-WLCSP |
GD25WQ64E3IGR.pdf