GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64ENEGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.23 | Dhs. 4.23 |
| 15+ | Dhs. 4.10 | Dhs. 61.50 |
| 25+ | Dhs. 4.01 | Dhs. 100.25 |
| 50+ | Dhs. 3.79 | Dhs. 189.50 |
| 100+ | Dhs. 3.35 | Dhs. 335.00 |
| N+ | Dhs. 0.67 | Price Inquiry |
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La GD25WQ64ENEGR est une solution de mémoire Flash NOR 64 Mbit hautes performances de GigaDevice Semiconductor, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce composant mémoire avancé offre une fiabilité et une vitesse exceptionnelles grâce à son interface SPI Quad E/S, fonctionnant à des fréquences d'horloge jusqu'à 84 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 64 Mbits organisée en 8 Mo x 8, offrant un espace suffisant pour le micrologiciel, l’enregistrement des données et le stockage du code.
- Performances rapides : une fréquence d’horloge de 84 MHz avec un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
- Alimentation flexible : sa large plage de tension (1,65 V à 3,6 V) assure la compatibilité avec diverses architectures système.
- Fiabilité de qualité industrielle : Plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 125 °C) pour les environnements difficiles
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-USON (3 x 4 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
- Interface avancée : l’ interface SPI Quad E/S permet une communication série à haut débit avec un nombre de broches réduit.
Spécifications techniques
Applications
Idéal pour les systèmes automobiles, les contrôleurs industriels, les appareils IoT, les équipements médicaux, les infrastructures de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire non volatile avec une tolérance aux températures élevées et une disponibilité à long terme.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25WQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 84 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 240 µs, 8 ms |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-UDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x4) |
GD25WQ64ENEGR.pdf