GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64EQEGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.23 | Dhs. 4.23 |
| 15+ | Dhs. 4.10 | Dhs. 61.50 |
| 25+ | Dhs. 4.01 | Dhs. 100.25 |
| 50+ | Dhs. 3.79 | Dhs. 189.50 |
| 100+ | Dhs. 3.35 | Dhs. 335.00 |
| N+ | Dhs. 0.67 | Price Inquiry |
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GD25WQ64EQEGR - Mémoire Flash NOR Quad E/S SPI 64 Mbit hautes performances
La mémoire flash GD25WQ64EQEGR de GigaDevice Semiconductor offre des performances et une fiabilité exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de mémoire non volatile. Cette mémoire flash NOR de 64 Mbits intègre une interface SPI Quad E/S avancée, permettant des transferts de données à haut débit jusqu'à 84 MHz avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 64 Mbits (8 M x 8) offre un espace suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et le code applicatif.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 84 MHz et un temps d'accès de 12 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Interface d'E/S quadruple : la technologie d'E/S quadruple SPI offre un débit supérieur aux implémentations SPI standard.
- Large plage de tension d'alimentation : la compatibilité avec les tensions d'alimentation de 1,65 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système et les conceptions à faible consommation.
- Plage de températures industrielles : -40 °C à 125 °C (TA) ; un fonctionnement fiable même dans des conditions environnementales difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-USON (4 x 4 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
- Performances d'écriture efficaces : des cycles d'écriture de mots de 240 µs et de pages de 8 ms permettent des opérations de programmation rapides.
Applications idéales
Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les appareils IoT, les plateformes informatiques embarquées, le stockage de firmware, les applications BIOS/UEFI et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable et rapide avec un fonctionnement à température étendue.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25WQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 84 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 240 µs, 8 ms |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USONS (4x4) |

GD25WQ64EQEGR.pdf