GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64ESJGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 3.33 | Dhs. 3.33 |
| 15+ | Dhs. 3.24 | Dhs. 48.60 |
| 25+ | Dhs. 3.17 | Dhs. 79.25 |
| 50+ | Dhs. 2.99 | Dhs. 149.50 |
| 100+ | Dhs. 2.64 | Dhs. 264.00 |
| N+ | Dhs. 0.53 | Price Inquiry |
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GD25WQ64ESJGR - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances
La mémoire Flash NOR SPI GD25WQ64ESJGR de GigaDevice Semiconductor est une solution haut de gamme de 64 Mbits, conçue pour les applications industrielles et grand public exigeantes. Dotée d'une interface SPI à quatre E/S, d'une fréquence d'horloge de 84 MHz et d'une large plage de tension de fonctionnement (1,65 V à 3,6 V), cette mémoire offre des performances et une fiabilité exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données non volatiles.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 84 MHz avec interface SPI à quatre E/S pour un accès rapide aux données
- Capacité généreuse : l’organisation de la mémoire de 64 Mbits (8 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et le code applicatif.
- Large plage de températures de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C, idéal pour les environnements industriels.
- Alimentation flexible : son fonctionnement de 1,65 V à 3,6 V assure la compatibilité avec diverses architectures système.
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 12 ns garantit des performances système réactives.
- Cycles d'écriture efficaces : écriture de mots en 240 µs, écriture de pages en 8 ms pour une programmation de données optimisée
- Montage en surface compact : Boîtier 8-SOIC/8-SOP peu encombrant pour les circuits imprimés haute densité
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les appareils électroménagers, le stockage de firmware, la mémoire de code de démarrage et les applications d'enregistrement de données où une mémoire non volatile fiable est essentielle.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25WQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 84 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 240 µs, 8 ms |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
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