GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GM7REYIGY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.57 | Dhs. 7.57 |
| 15+ | Dhs. 7.34 | Dhs. 110.10 |
| 25+ | Dhs. 7.18 | Dhs. 179.50 |
| 50+ | Dhs. 6.78 | Dhs. 339.00 |
| 100+ | Dhs. 5.99 | Dhs. 599.00 |
| N+ | Dhs. 1.20 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Plateau |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, DTR |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 9 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
GD5F1GM7REYIGY - Circuit intégré de mémoire flash NAND SPI 1 Gbit
Le GD5F1GM7REYIGY de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NAND SPI 1 Gbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage fiable et non volatil. Cette solution de mémoire avancée est dotée d'une interface SPI à quatre E/S avec prise en charge du DTR (Double Transfer Rate), offrant un débit de données exceptionnel à une fréquence d'horloge de 104 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 1 Gbit (128 Mo) avec une organisation de 256 Mo x 4 pour une gestion flexible des données
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 104 MHz, temps d’accès de 9 ns et cycle d’écriture de page de 600 µs.
- Interface avancée : E/S SPI quadruple avec prise en charge DTR pour une efficacité de bande passante maximale
- Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V idéale pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Encombrement réduit : Boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) compact avec pastille thermique exposée pour des performances thermiques améliorées.
- Technologie NAND SLC : endurance et rétention des données supérieures aux alternatives MLC/TLC
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, aux appareils IoT, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, à l'électronique grand public, aux systèmes d'enregistrement de données et aux applications de stockage de micrologiciels où la fiabilité et la disponibilité sur une longue durée de vie sont essentielles.
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Spécifications techniques complètes
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