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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD5F
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 4
Interface mémoire SPI - Quad E/S, DTR
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 600 µs
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (5x6)

GD5F1GM7UEWIGR - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance

Le GD5F1GM7UEWIGR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NAND SPI 1 Gbit haut de gamme, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage non volatil fiable et rapide. Cette solution de mémoire avancée est dotée d'une interface SPI à quatre E/S avec prise en charge du DTR (Double Transfer Rate), offrant des performances exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 133 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : capacité de 1 Gbit (128 Mo) organisée en 4 x 256 Mo, idéale pour le stockage de firmware, l’enregistrement de données et les applications embarquées.
  • Performances rapides : une fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 7 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
  • Interface avancée : l’ interface SPI Quad avec prise en charge DTR maximise le débit tout en minimisant le nombre de broches.
  • Fiabilité de niveau industriel : large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à +85 °C) pour les environnements exigeants
  • Encombrement réduit : Boîtier CMS 8-WSON (5 x 6 mm) compact avec pastille thermique exposée pour des performances thermiques améliorées.
  • Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique des appareils alimentés par batterie.
  • Technologie NAND SLC : endurance et rétention des données supérieures aux alternatives MLC/TLC

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire est parfaitement adapté aux objets connectés, aux contrôleurs industriels, aux systèmes automobiles, à l'électronique grand public, aux équipements réseau et à toute application embarquée nécessitant un stockage de code et une conservation des données fiables. L'architecture NAND SLC garantit une disponibilité à long terme et des performances constantes d'une production à l'autre.

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Spécifications techniques complètes

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