GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GM7UEWIGY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.38 | Dhs. 7.38 |
| 15+ | Dhs. 7.13 | Dhs. 106.95 |
| 25+ | Dhs. 6.98 | Dhs. 174.50 |
| 50+ | Dhs. 6.59 | Dhs. 329.50 |
| 100+ | Dhs. 5.81 | Dhs. 581.00 |
| N+ | Dhs. 1.16 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |
GD5F1GM7UEWIGY - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance
Le GD5F1GM7UEWIGY de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NAND SPI 1 Gbit haut de gamme, conçu pour les applications électroniques embarquées et industrielles exigeantes. Cette solution de mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à ses interfaces SPI Quad E/S et DTR, fonctionnant à des vitesses allant jusqu'à 133 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l'organisation de la mémoire de 1 Gbit (256 Mo x 4) offre une capacité suffisante pour les applications gourmandes en données.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 133 MHz avec un temps d'accès de 7 ns garantit une récupération rapide des données.
- Interface flexible : E/S quadruples SPI avec prise en charge DTR pour une intégration système polyvalente
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C en milieu industriel.
- Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique.
- Encombrement réduit : Boîtier de montage en surface 8-WSON (5 x 6 mm) peu encombrant
- Technologie SLC NAND : endurance et fiabilité supérieures pour les applications critiques
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, l'électronique grand public et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable et performante avec une longue durée de vie.
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Spécifications techniques complètes
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