GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GM7UEYIGY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.12 | Dhs. 7.12 |
| 15+ | Dhs. 6.89 | Dhs. 103.35 |
| 25+ | Dhs. 6.74 | Dhs. 168.50 |
| 50+ | Dhs. 6.37 | Dhs. 318.50 |
| 100+ | Dhs. 5.62 | Dhs. 562.00 |
| N+ | Dhs. 1.12 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
GD5F1GM7UEYIGY - Circuit intégré de mémoire flash NAND SPI 1 Gbit
Le GD5F1GM7UEYIGY de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NAND SPI 1 Gbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage fiable et non volatil. Cette solution de mémoire avancée intègre une interface SPI à quatre E/S avec prise en charge du DTR (Double Transfer Rate), permettant un débit de données rapide à une fréquence d'horloge de 133 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 1 Gbit (128 Mo) avec organisation de 256 Mo x 4
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz, temps d’accès de 7 ns et cycle d’écriture de page de 600 µs.
- Interface flexible : E/S SPI quadruple avec prise en charge DTR pour des débits de transfert de données améliorés
- Qualité industrielle : large plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C
- Faible consommation : tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour un fonctionnement écoénergétique
- Boîtier compact : boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) avec pastille thermique exposée pour des performances thermiques supérieures.
- Technologie NAND SLC : L’architecture à cellule unique garantit une fiabilité et une endurance supérieures
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, l'enregistrement de données, le stockage de firmware et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable avec des performances de lecture/écriture rapides et une longue durée de vie.
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Spécifications techniques complètes
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