GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REYIGY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.28 | Dhs. 8.28 |
| 15+ | Dhs. 8.03 | Dhs. 120.45 |
| 25+ | Dhs. 7.86 | Dhs. 196.50 |
| 50+ | Dhs. 7.42 | Dhs. 371.00 |
| 100+ | Dhs. 6.55 | Dhs. 655.00 |
| N+ | Dhs. 1.31 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 9,5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
GD5F1GQ5REYIGY - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance
La mémoire GD5F1GQ5REYIGY de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haut de gamme, conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Grâce à sa technologie SLC (Single-Level Cell) avancée, ce dispositif mémoire offre une fiabilité exceptionnelle, des temps d'accès rapides et une endurance accrue pour les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 104 MHz avec un temps d'accès de 9,5 ns garantit une récupération rapide des données.
- Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR pour une intégration système polyvalente.
- Plage de fonctionnement robuste : tolérance aux températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 1,7 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
- Fiabilité de niveau industriel : la technologie SLC NAND offre une rétention et une endurance des données supérieures
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire flash NAND haute fiabilité est idéale pour :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Plateformes d'infodivertissement et d'ADAS automobiles
- Dispositifs IoT périphériques et capteurs intelligents
- Équipements et instruments médicaux
- Infrastructure de télécommunications
- Informatique embarquée et enregistrement de données
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