GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REYIHR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.62 | Dhs. 8.62 |
| 15+ | Dhs. 8.34 | Dhs. 125.10 |
| 25+ | Dhs. 8.16 | Dhs. 204.00 |
| 50+ | Dhs. 7.71 | Dhs. 385.50 |
| 100+ | Dhs. 6.80 | Dhs. 680.00 |
| N+ | Dhs. 1.36 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, DTR |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 9,5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
GD5F1GQ5REYIHR - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance
La GD5F1GQ5REYIHR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NAND SPI 1 Gbit haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués critiques. Dotée d'une interface SPI Quad E/S avec DTR (Double Transfer Rate), cette mémoire non volatile offre des performances exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 104 MHz, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : une mémoire de 1 Gbit (4 × 256 Mo) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, des données et du code.
- Performances rapides : une fréquence d’horloge de 104 MHz et un temps d’accès de 9,5 ns garantissent une récupération rapide des données.
- Interface flexible : l’interface SPI Quad avec prise en charge DTR permet une communication série à haut débit avec un nombre minimal de broches.
- Large plage de fonctionnement : plage de température de -40 °C à 85 °C et tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V pour les environnements industriels difficiles.
- Encombrement réduit : Boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) compact avec pastille thermique exposée pour des performances thermiques améliorées.
- Technologie fiable : l'architecture de mémoire flash NAND SLC (Single-Level Cell) garantit une endurance et une conservation des données supérieures.
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire flash NAND de qualité industrielle est parfaitement adaptée pour :
- Stockage du micrologiciel du système embarqué et code de démarrage
- Enregistrement de données dans les systèmes de contrôle automobiles et industriels
- Stockage et configuration des données des dispositifs médicaux
- Équipements de télécommunications et infrastructure réseau
- Applications aérospatiales et de défense nécessitant une plage de températures étendue
- Dispositifs IoT et plateformes de calcul en périphérie
Pourquoi choisir le GigaDevice GD5F1GQ5REYIHR ?
GigaDevice Semiconductor propose une qualité de niveau industriel et une fiabilité éprouvée pour une disponibilité optimale tout au long du cycle de vie. Le GD5F1GQ5REYIHR allie hautes performances, faible consommation d'énergie et fonctionnement robuste dans les environnements les plus exigeants, ce qui en fait le choix idéal pour les applications critiques à travers le monde.
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