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15+ Dhs. 8.03 Dhs. 120.45
25+ Dhs. 7.86 Dhs. 196.50
50+ Dhs. 7.42 Dhs. 371.00
100+ Dhs. 6.55 Dhs. 655.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD5F
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 4
Interface mémoire SPI - Quad E/S, DTR
Fréquence d'horloge 104 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 600 µs
Temps d'accès 9,5 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (6x8)

GigaDevice GD5F1GQ5REYIHY - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance

La mémoire GD5F1GQ5REYIHY de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haut de gamme, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Dotée de la technologie NAND SLC (Single-Level Cell) avancée avec prise en charge des E/S quadruples et du DTR, cette mémoire offre une fiabilité et des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 104 MHz. Son organisation 256 Mbits x 4 et sa large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C) la rendent idéale pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des applications embarquées critiques nécessitant une conservation des données à long terme et une grande endurance.

Spécifications techniques

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