GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEY2GY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.36 | Dhs. 12.36 |
| 15+ | Dhs. 11.96 | Dhs. 179.40 |
| 25+ | Dhs. 11.70 | Dhs. 292.50 |
| 50+ | Dhs. 11.05 | Dhs. 552.50 |
| 100+ | Dhs. 9.75 | Dhs. 975.00 |
| N+ | Dhs. 1.95 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
GD5F1GQ5UEY2GY - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute fiabilité
Le GD5F1GQ5UEY2GY de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire flash NAND SPI 1 Gbit hautes performances, conçu pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel et des télécommunications. Cette solution de mémoire avancée offre une fiabilité et des performances exceptionnelles dans les environnements les plus exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des E/S quadruples et du DTR pour un transfert de données rapide
- Plage de températures robuste : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
- Organisation flexible de la mémoire : architecture 256 Mo x 4 optimisée pour les systèmes embarqués.
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour les applications écoénergétiques
- Accès rapide : temps d’accès de 7 ns avec un cycle d’écriture de 600 µs pour des performances système réactives.
- Boîtier compact pour montage en surface 8-WSON (6x8)
Applications idéales
Cette mémoire flash SLC NAND est parfaitement adaptée à l'enregistrement de données, au stockage de firmware, à l'exécution de code et à la conservation non volatile de données dans l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les contrôleurs industriels et les équipements d'infrastructure de télécommunications.
Spécifications techniques
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