GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYIHR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.35 | Dhs. 8.35 |
| 15+ | Dhs. 8.10 | Dhs. 121.50 |
| 25+ | Dhs. 7.92 | Dhs. 198.00 |
| 50+ | Dhs. 7.48 | Dhs. 374.00 |
| 100+ | Dhs. 6.60 | Dhs. 660.00 |
| N+ | Dhs. 1.32 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
GD5F1GQ5UEYIHR - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance
Le GD5F1GQ5UEYIHR de GigaDevice Semiconductor offre un stockage non volatil fiable et rapide pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire Flash NAND SPI de 1 Gbit allie des performances exceptionnelles à une grande robustesse, ce qui le rend idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de firmware et l'exécution de code dans les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des E/S quadruples et du DTR pour un accès et un transfert de données rapides.
- Capacité généreuse : 1 Gbit/s (128 Mo) organisé en 4 x 256 Mo pour une gestion flexible des données
- Fiabilité de niveau industriel : la plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit un fonctionnement stable dans des environnements difficiles.
- Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l'efficacité énergétique.
- Performances d'écriture rapides : temps de cycle d'écriture de page de 600 µs avec un temps d'accès de 7 ns
- Encombrement réduit : Boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) compact avec pastille thermique exposée pour des performances thermiques améliorées.
- Technologie NAND SLC : L’architecture à cellule unique offre une endurance et une rétention des données supérieures.
Applications idéales
Ce composant de mémoire flash polyvalent excelle dans l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les appareils IoT, les plateformes informatiques embarquées, les équipements d'infrastructure réseau et l'électronique grand public nécessitant un stockage non volatil fiable.
Spécifications techniques
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