GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYJGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.44 | Dhs. 9.44 |
| 15+ | Dhs. 9.14 | Dhs. 137.10 |
| 25+ | Dhs. 8.94 | Dhs. 223.50 |
| 50+ | Dhs. 8.44 | Dhs. 422.00 |
| 100+ | Dhs. 7.45 | Dhs. 745.00 |
| N+ | Dhs. 1.49 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
GD5F1GQ5UEYJGR - Mémoire flash NAND SPI 1 Gbit haute performance
La mémoire flash NAND GD5F1GQ5UEYJGR de GigaDevice Semiconductor représente une technologie de pointe conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des infrastructures de télécommunications. Cette mémoire flash NAND SPI de 1 Gbit offre une fiabilité et des performances exceptionnelles dans les environnements les plus exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des E/S quadruples et du QPI pour un transfert de données rapide
- Plage de températures robuste : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C, idéal pour les conditions environnementales extrêmes.
- Interface flexible : SPI avec modes Quad I/O, QPI et DTR pour une intégration système polyvalente
- Organisation optimisée : architecture mémoire 256 Mo x 4 pour une gestion efficace des données
- Performances d'écriture rapides : cycle d'écriture de 600 µs et temps d'accès de 7 ns.
- Large plage de tension : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une compatibilité avec divers systèmes
- Boîtier compact : boîtier CMS 8-WSON (6x8) pour les conceptions à espace restreint
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire flash NAND haute fiabilité est idéale pour :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Applications des calculateurs automobiles et des systèmes ADAS
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- stockage de données des dispositifs médicaux
- Infrastructure de télécommunications
- Systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil
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