GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7REWIGY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.81 | Dhs. 12.81 |
| 15+ | Dhs. 12.41 | Dhs. 186.15 |
| 25+ | Dhs. 12.14 | Dhs. 303.50 |
| 50+ | Dhs. 11.47 | Dhs. 573.50 |
| 100+ | Dhs. 10.12 | Dhs. 1,012.00 |
| N+ | Dhs. 2.02 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 4 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, DTR |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 9 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |
GigaDevice GD5F2GM7REWIGY - Mémoire flash NAND SPI 2 Gbit hautes performances
La mémoire flash NAND SPI GD5F2GM7REWIGY de GigaDevice Semiconductor offre des performances et une fiabilité exceptionnelles pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Dotée d'une interface Quad E/S avancée avec DTR (Double Transfer Rate), elle permet un transfert de données à haute vitesse à une fréquence d'horloge de 104 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : la fréquence d’horloge de 104 MHz, associée à la prise en charge des E/S quadruples et du DTR, garantit un accès et un transfert de données rapides.
- Capacité généreuse : l'organisation de la mémoire de 2 Gbit (512 Mo x 4) offre un espace de stockage suffisant pour les applications complexes.
- Fiabilité de qualité industrielle : Sa plage de températures de fonctionnement, de -40 °C à 85 °C, la rend idéale pour les environnements difficiles.
- Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 1,7 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique.
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 9 ns avec un cycle d'écriture de 600 µs garantit des performances réactives.
- Boîtier compact pour montage en surface : 8-WDFN (5 x 6 mm) avec pastille exposée pour une gestion thermique optimale
Applications idéales
Ce composant de mémoire flash NAND haut de gamme est parfaitement adapté aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications et à d'autres applications critiques nécessitant une disponibilité à long terme et une traçabilité complète.
Spécifications techniques
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